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        介電常數測試儀生產廠家

        型 號GDAT-A

        更新時間2024-11-21

        廠商性質生產廠家

        報價

        產品描述:介電常數測試儀生產廠家

        產品概述

        介電常數測試儀生產廠家特點: 

        ◎ 本公司創新的自動Q值保持技術,使測Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

        ◎ 能對固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。

        ◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

        ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數:Q值,測試頻率,調諧狀態等。

        ◎ Q值量程自動/手動量程控制。

        ◎ DPLL合成發生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測試信號。獨立信號   源輸出口,所以本機又是一臺合成信號源。

        ◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。

         

         

         

        介電常數測試儀生產廠家主要技術指標:

        2.1 tanδ和ε性能:

        2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測試。

        2.1.2 tanδ和ε測量范圍:

        tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

        2.1.3 tanδ和ε測量精度(1MHz):

        tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

        工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數顯,壓控振蕩器

        Q值測量范圍:1~1000三位數顯,±1Q分辨率

        可調電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

        電容測量誤差:±1%±1pF

        Q表殘余電感值:約20nH

         

         

        使用方法

        1. 被測樣品的準備

        被測樣品要求為園形,直徑25.4~27mm,這是減小因樣品邊緣泄漏和邊緣電場引起的誤差的有效辦法。樣品厚度可在1~5mm之間,如太薄或太厚則測試精度就會下降,樣品要盡可能平直。

        下面推薦一種能提高測試精確性的方法:準備二片厚0.05mm的園形錫膜,直徑和平板電容器極片*,錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林,它起粘著作用,又能排除接觸面之間殘余空氣,把

        錫膜再粘在平板電容器兩個極片上,粘好后,極片呈鏡面狀為佳,然后放上被測樣品。

         

         

        測試順序

        先要詳細了解配用Q表的使用方法,操作時,要避免人體感應的影響。

        1. 把配用的Q表主調諧電容置于zui小電容量,微調電容置于-3pF。
        2. 把本測試裝置插到Q 表測試回路的“電容”兩個端子上。
        3. 配上和測試頻率相適應的高Q值電感線圈
        4. 調節平板電容器測微桿,使二極片相接為止,讀取刻度值記為DO
        5. 再松開二極片,把被測樣品插入二極片之間,調節平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調節時要用測微桿,以免夾得過緊或過松),這時能讀取新的刻度值,記為D1,這時樣品厚度D2= D1-D0。
        6. 把園筒電容器置于5mm處。
        7. 改變配合Q表頻率,使之諧振,讀得Q值。
        8. 先順時針方向,后逆時針方向,調節園筒電容器,讀取當Q表指示Q值為原值的一半時測微桿上二個刻度值,取這二個值之差,記為M1
        9. 再調節園筒電容器,使Q表再次諧振。
        10. 取出平板電容器中的樣品,這時Q表又失諧,調節平

        板電容器,使再諧振,讀取測微桿上的讀值D3,其變化值為

        D4= D3-D0。

        1. 和h款操作一樣,得到新的二個值之差,記為M2

        3.  計算測試結果

        被測樣品的介電常數:

        Σ=D2 / D4

        被測樣品的損耗角正切值:

             tgδ=K(M1-M2 )/ 15.5

        式中:K為園筒電容器線性變化率,一般為0.33 / mm,每個測試夾具在盒蓋內標有具體數值。

        一般按以上公式計算的結果,其精度和重復性是能滿足的,但對介電常數大的被測樣品(即樣品從平板樣品放入和取出,平板電容器刻度值變化較大),邊緣效應電容對測試會有較顯著的影響,這時可按下列公式計算:

        Σ=(C2 + CF2-CF)/ C1

        tgδ=K(M1-M2 )/ 3.46(C2 + CF2-CF)/ C1

         

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