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產(chǎn)品展示
介電常數(shù)測(cè)試儀，介質(zhì)損耗測(cè)試儀
型 號(hào)gdat-c
更新時(shí)間2024-11-19
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
報(bào)價(jià)
產(chǎn)品描述：Q 值測(cè)量范圍 2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔 固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
產(chǎn)品概述
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀，介電常數(shù)測(cè)試儀，介質(zhì)損耗測(cè)試儀
Q 值測(cè)量范圍 2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
主要技術(shù)特性
Q 值測(cè)量范圍 2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差 ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測(cè)量范圍 4.5nH ～ 140mH
電容直接測(cè)量范圍 1 ～ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ～ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％
信號(hào)源頻率覆蓋范圍 100kHz ～ 160MHz
頻率分段 （ 虛擬 ） 100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字
搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套，可用于測(cè)量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)（損耗角正切值）。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品，它采用了數(shù)顯微測(cè)量裝置，因而讀數(shù)方便，數(shù)據(jù)精確。
測(cè)試裝置由一個(gè)LCD數(shù)字顯示微測(cè)量裝置和一對(duì)間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品，微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器，通過被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化，測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性
平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm
電感：
線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH
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